铟片开发工程师

岗位职责：

1. 负责铟片、铟箔及铟基复合材料的产品开发，包括客户需求分析、技术规格定义、开发路线制定与项目实施。

2. 负责高纯铟及铟合金材料成分设计，开展熔炼、提纯、铸造、轧制、退火、冲压、模切、抛光、清洗、表面处理等工艺开发。

3. 优化铟片厚度均匀性、平整度、表面粗糙度、氧含量、晶粒度、力学性能及导热性能，解决粘辊、开裂、翘曲、氧化、毛刺等工艺问题。

4. 设计DOE实验，确定工艺窗口，提升产品良率与一致性，推动样品、中试到量产导入。

5. 负责铟片性能测试与表征，包括ICP、DSC、XRD、SEM/EDS、金相、硬度、拉伸、导热系数、界面热阻、润湿性及可靠性测试等。

6. 对接客户热管理、半导体封装、功率模块等应用需求，提供样品、技术方案、失效分析及现场技术支持。

7. 与生产、品质、采购、设备、销售等部门协作，制定SOP、PFMEA、控制计划、检验标准等技术文件。

8. 负责失效分析，定位热阻高、分层、空洞、氧化、腐蚀、界面兼容性等问题，并推动改善。

9. 跟踪铟片、铟基TIM、功率封装、半导体热管理领域的新技术、新专利、新标准，推动新材料、新工艺、新应用导入。

10. 参与成本核算、材料与工艺降本、供应链开发及知识产权布局。

任职要求（参考）：

1. 材料科学与工程、金属材料、冶金、微电子封装、机械等相关专业本科及以上学历。

2. 3年以上铟片、铟箔、焊料、热界面材料、金属轧制或半导体封装材料开发经验。

3. 熟悉金属轧制、冲压、热处理、表面处理、材料表征与可靠性测试。

4. 具备DOE、SPC、FMEA及数据分析能力，能独立推进项目。

5. 具备良好的沟通能力和跨部门协作能力，有客户支持经验者优先。

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