1.本科及以上学历，微电子/电子工程/电子科学等相关专业，英语良好；
2.熟悉功率SIC SBD/MOS 等类器件设计与开发、制造工艺及封装过程，了解芯片的关键制程和测试参数；
3.5年以上功率芯片设计经验；有SIC产品开发经验
4.能提出实证说明所设计的产品具备国际竞争力；
5.具备主动积极，勇于接受挑战及了解问题所在并快速解决问题的态度与决心；
6.具有制程整合，产品工程，或是芯片厂技术开发相关经验者尤佳。